ИСТИНА

Цель работы. Разработать метод измерения сопротивления контакта между тонкой наноструктурированной пленкой прозрачного проводящего оксида ТСО (Transparent Conducting Oxide) и кремниевым солнечным элементом (СЭ), на поверхности которого сформирован сильнолегированный диффузионный слой. Подход. Предлагается изготовить тестовую структуру (рис. 1), где R1 - слоевое сопротивление плёнки ТСО, R2 - слоевое сопротивление кремния, Z – удельное контактное сопротивление, L – длина плёнки. Между контактами пропускается ток I. Ширина образца – 1 см Измеряя профиль потенциала φ вдоль поверхности плёнки, нанесённой на кремний, и получая соответствующую зависимость потенциала от координаты, можно получить значение контактного сопротивления. Точное аналитическое выражение для φ(х) даётся формулой (1), которая получена в ходе решения соответствующей краевой задачи: (1) Аппроксимируя экспериментальную кривую φ(х) теоретической кривой методом наименьших квадратов, можно получить значение удельного контактного сопротивления Z. Научная новизна. В конструкции СЭ пленки ТСО могут быть использованы одновременно в качестве антиотражающего покрытия и прозрачного электрода [ , ]. При этом они должны быть не только прозрачными и проводящими, но еще и удовлетворять некоторым дополнительным требованиям, в частности, сопротивление контакта TCO/Si должно быть минимальным. Анализ литературы показывает, что несмотря на важность этого параметра, существует очень мало статей затрагивающих эту проблему [ ], а данные о его величине отсутствуют. Поэтому задача разработки эффективного способа определения удельного контактного сопротивления является актуальной, а предложенный метод является уникальным. Результаты. Предложен и теоретически обоснован метод определения удельного контактного сопротивления между кремниевой подложкой и пленкой ТСО. Проведено моделирование зависимости φ(х) при разных значениях параметров R1, R2 и Z (рисунок 2). Сформулированы требования к будущей экспериментальной установке, а также к методике эксперимента.