|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремниядоклад на конференции
- Авторы: Жигунов Д.М., Каменских И.А., Лебедев А.М., Кашкаров П.К., Логачев Ю.А., Якунин С.Н., Чумаков Р.Г.
- Международная Конференция : Совещание пользователей Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований (20 – 23 ноября 2017 года)
- Даты проведения конференции: 20-23 декабря 2017
- Дата доклада: 21 ноября 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1–1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150◦С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов.
- Добавил в систему: Каменских Ирина Александровна