ИСТИНА

Среди различных подходов к созданию ВТСП-проводов второго поколения одним из наиболее перспективных является метод химического осаждения из газовой фазы на биаксиально-текстурированные ленты из металлических сплавов (CVD-RABiTS). Этот метод предполагает первоначальное формирование текстуры в металлической ленте с последующей ее передачей за счет явления гетероэпитаксии через буферные слои к пленке YBa2Cu3O7-x. Химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) – одна из многих доступных в настоящее время технологий получения сверхпроводников состава YBa2Cu3O7-x (YBCO). Физические методы осаждения пленок (лазерная абляция, испарение и магнетронное распыление) характеризуются низкой скоростью осаждения, требуют высоковакуумных условий, накладывают некоторые ограничения на размеры и обеспечивают рост пленки лишь на одной стороне подложки. Эти ограничения делают дорогостоящим использование этих методов для промышленного получения пленок YBCO в виде длинных лент и проводов. Метод MOCVD лишен этих недостатков, поэтому может быть эффективно применен для создания сверхпроводящих проводов второго поколения: осаждения тонких пленок YBCO и буферных слоев. Перспективным оксидным материалом, способным выступать в качестве буферного слоя, является CeO2, имеющий структуру флюорита и способный образовывать эпитаксиальные пленки на текстурированных подложках. Его кубическая элементарная ячейка имеет хорошее эпитаксиальное соотношение с YBCO. Непосредственное нанесение CeO2 на ленту из сплава Ni(Cr,W) представляется невозможным по причине окисления поверхности ленты, приводящего к нарушению текстуры пленки. Для решения этой проблемы использовалась комбинация промежуточных буферных слоев MgO (защищающего подложку от окисления) и SrF2 (имеющего, как и CeO2, структуру флюорита). На таких гетероструктурах были получены текстурированные пленки CeO2. В ходе работы были проведены осаждения пленок CeO2 на металлические ленты на основе сплава Ni(Cr,W) с нанесенными слоями MgO и SrF2 с использованием Ce(thd)4 в качестве прекурсора. Полученные образцы пленок CeO2 были проанализированы с помощью рентгено-дифракционного анализа (2θ/ω-сканирование, φ-сканирование, ω-сканирование) и сканирующей электронной микроскопии с анализом дифракции обратно отраженных электронов и рентгенолокальным микроанализом. На основании полученных данных была обоснована необходимость восстановительной атмосферы для нанесения CeO2 из Ce(thd)4. Это затрудняет его практическое применение. Поэтому был проведен синтез альтернативного прекурсора - диглимового аддукта гексафторацетилацетоната церия (III), его очистка и характеризация методами элементного (C/H) анализа, ТГА и ДСК. Полученный комплекс Ce(hfa)3*diglyme также был использован в качестве прекурсора для осаждения пленок CeO2 на металлические ленты на основе сплава Ni(Cr,W) с нанесенными слоями MgO и SrF2. За счет аналогичного анализа получаемых пленок была доказана необходимость некоторых условий нанесения: температурного интервала 350-550°С, наличия паров воды, окислительной атмосферы для нанесения из Ce(hfa)3*diglyme) и исследовано влияние температуры реактора и скорости подачи прекурсора на толщину и текстуру получаемых пленок.