ИСТИНА

Одна из базовых задач при работе с ограненными Pt наночастицами (НЧ) заключается в характеризации их поверхности с кристаллографической точки зрения. Хотя применяемый обычно для этой цели метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет судить о поверхностной структуре НЧ по их форме, он не учитывает различий в структуре поверхности НЧ на воздухе и в растворе, а также сложность микрорельефа НЧ. В работах [1, 2] предложен метод анализа структуры поверхности, основанный на необратимой адсорбции адатомов металлов (Bi, Ge, Te) и анализе редокс-переходов адатомов на участках поверхности известной ориентации, где вклад адатомов с участков с другой поверхностной ориентацией в выбранной области потенциалов пренебрежимо мал. В частности, при адсорбции Bi на поверхности Pt на вольтамперограммах (ЦВА) Pt/Bi появляются острые пики, отвечающие редокс-реакции Bi(0)Bi(II) на гранях Pt (111). Для ЦВА Pt/Ge характерны пики в области 0.4–0.6 В, отвечающие граням (100) (Ge(0)Ge(II)). Однако такой метод характеризации поверхности позволяет определить только количество так называемых "доменов" с заданной структурой, но не конкретную ширину террас и распределение ширин террас на поверхности. Для более точного анализа структуры поверхности требуются дополнительные знания о характере адсорбции адатомов Ge на поверхности Pt. Мы исследовали ЦВА осаждения Ge на поверхность монокристаллов Pt с террасами (100) различной ширины и ступенями (110) и изучили эволюцию их ЦВА в процессе осаждения Ge из раствора. Было показано, что ЦВА монокристаллов включают три области, отвечающие (1) окислению изолированных адатомов Ge (восстановлению GeO на широких террасах Pt(100), (2) на краях этих террас, а также (3) в случае, когда адатомы оказываются достаточно близко друг к другу (ближе, чем в решетке c(2x2), <5.6 Å), когда можно говорить о формировании сверхкомпактных слоев Ge. Эволюция ЦВА Pt монокристаллов в процессе осаждения Ge из раствора была также изучена в присутствии и в отсутствие специфически адсорбирующихся ионов (перхлоратные и сульфатные растворы). Для выделения доменов (100) большой ширины на фоне токов, отвечающих сверхмонослойному (более, чем Ge:Pt=1:4) заполнению, было использовано частичное растворение осадка, когда первыми с поверхности уходят наименее стабильные адатомы. В этом случае в области, отвечающей широким террасам (100), на ЦВА наблюдаются более высокие пики, которые обычно маскируются сверхмонослойным осаждением. Полученный подход был использован для характеризации Pt НЧ с большой долей ограненных поверхностей с ориентацией (100). Было показано, что хотя предложенный метод пока не позволяет определить точное распределение ширин террас на поверхности, он, тем не менее, позволяет получить более точное представление о количестве на поверхности широких террас.