Организация, в которой проходила защита:
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Год защиты:2018
Аннотация:Цель работы - моделирование вольт-амперных характеристик солнечного элемента на основе фотовольтаического эффекта на барьере Шоттки.
В работе рассмотрены архитектура и принцип работы органических солнечных ячеек, а также строение и свойства материалов, используемых в слоистых ячейках и в ячейках с «объемным гетеропереходом». Дано описание параметров, определяющих эффективность органических солнечных элементов, а также предложены возможные пути их улучшения. Рассмотрен физический принцип полупроводникового фотоэлектрического эффекта, а также приведено структурное описание барьера Шоттки и его использование в солнечных элементах. В итоге с помощью программы gpvdm было выполнено моделирование вольт-амперных характеристик исследуемого органического солнечного элемента на основе диода Шоттки.