Организация, в которой проходила защита:
ГОУ ВПО «Московский физико-технический институт (государственный университет)» Факультет общей и прикладной физики Кафедра физики и технологии наноструктур
Год защиты:2018
Аннотация:В современной физике сверхпроводимость является одним из наиболее изучаемых явлений. Со сверхпроводимостью связано множество интересных эффектов. В частности, контакт сверхпроводника с несверхпроводящим материалом изменяет их свойства вблизи границы. В случае
контакта сверхпроводник-нормальный металл куперовские пары могут проникать в нормальный металл на некоторую глубину. Если движение электронов диффузное, эта глубина пропорциональна длине тепловой диффузии LT ∼√︀D/T, где D – константа диффузии. В случае чистого нормального металла соответствующая характерная длина ξT ∼ νF /T. Таким образом, нормальный металл может получить свойства, подобные сверхпроводящим. Это явление называется эффектом близости. В то
же время утечка куперовских пар ослабляет сверхпроводимость около интерфейса с нормальным металлом. Это – обратный эффект близости. Он приводит к уменьшению температуры сверхпроводящего перехода тонкого сверхпроводящего слоя, находящегося в контакте с нормальным
металлом. Если толщина сверхпроводящего слоя меньше критической, эффект близости полностью подавляет сверхпроводящий переход. Подобные гибридные контакты могут найти применение в нано- и микроэлектронике благодаря возможности контроля сверхпроводящих свойств образца (таких, например, как энергетическая щель в спектре одночастичных возбуждений или критическая температура сверхпроводящего перехода). С помощью легко контролируемых экспериментальных параметров, таких как толщины слоёв и свойства границ между ними, появляется возможность тонкой подстройки этих свойств.
Цель настоящей работы состояла, во-первых, в изучении эффекта близости с помощью локальной спектроскопии плотности электронных состояний в бислоях сверхпроводник/нормальный металл методами СТМ путем обработки данных, полученных моими коллегами, и во-вторых, в подготовке к проведению собственного эксперимента путем овладевания методикой изготовления игл для сканирующего туннельного микроскопа.