|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние фотосенсибилизированной депротонизации молекул нафтола на электрофизические параметры поверхности полупроводниковдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Зайцев В.Б.
- Автор: Шагов С.Н.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1995
- Аннотация: В последние годы интенсивно проводятся исследования по изучению возбужденных состояний молекул на поверхности полупроводников и диэлектриков. Однако, еще недостаточно полно выяснен механизм взаимодействия возбужденных молекул с поверхностными электронными состояниями (ПЭС). К тому же установлена существенная роль протонных процессов во многих физических явлениях, изучаемых на поверхности полупроводников и диэлектриков. Имеется в виду проводимость на поверхности кварца, обусловленная протонами, эффект накопления (ЭН), нейтрализация поверхностных рекомбинационных центров и влияние на ПЭС полупроводников. Источником протонов является координационно - связанная вода. Однако, количество молекул воды, достаточно сложно контролировать и они присутствуют на поверхности полупроводника с самого начала образования окисной пленки. Следовательно, определенный интерес представляют исследования на электрофизику поверхности "гостевых" протон - донорных молекул. При этом изменение количества протонов удобно сделать управляемым и контролируемым с помощью независимых методов. Удобными в этом отношении являются молекулы фотокислот - нафтолов. Поведение молекул нафтола хорошо изучено только в растворах и вблизи границы раствор - твердое тело. Применение фотокислоты позволяет управлять концентрацией протонов, варьируя уровень оптического возбуждения. К тому же, процесс переноса протонов и их захват различными акцепторами в поверхностных фазах полупроводников и диэлектриков, можно исследовать электрофизическими и флуоресцентными методами. Таким образом, целью нашей работы являются качественные исследования влияния протонов, получаемых в результате адсорбции молекул красителя (2НСК), на заряд, захваченный БС (по данным ЭП), на рекомбинационные центры (по измерениям скорости поверхностной рекомбинации) и на заряд, забрасываемый на ловушки диэлектрика (по измерениям спектров оптического заряжения) в структуре Ge-GeO2.
- Добавил в систему: Зайцев Владимир Борисович