Оптимизация конструкции двойной гетероструктуры раздельного ограничения с квантово-размерной активной областью на основе твердых растворов AlGaInAs/InP для импульсного диодного лазера, излучающего в спектральном диапазоне 1.4-1.6 мкмдипломная работа (Магистр)