|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Моделирование электрических характеристик схем на биполярных транзисторах с учетом различных параметров радиационного излучениядипломная работа (Магистр)
- Научный руководитель: Кожухов Максим Владимирович
- Автор: Степыгин Дмитрий Андреевич
- Тип: Магистр
- Организация, в которой проходила защита: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
- Год защиты: 2019
- Аннотация: В данной работе объектом исследования является эффект влияния низкой интенсивности дозы на биполярные транзисторы и операционный усилитель uA741. Цель работы заключалась в создании радиационной SPICE-модели биполярного транзистора учитывающей ELDRS эффект. В процессе работы был изучен подход к созданию радиационно-стойких моделей и природа возникновения эффекта низкой интенсивности. С помощью программы схемотехнического моделирования LTSpice была создана радиационная SPICE – модель биполярного транзистора путем добавления в базовую модель новых параметров, которые позволяют учитывать эффект низкой интенсивности. Проведено схемотехническое моделирование электрических характеристик биполярных транзисторов и ОУ uA741 при различных дозах и мощности дозы. Разработанная модель может быть использована при проектировании интегральных микросхем с учетом эффекта низкой интенсивности.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович