Аннотация:Решена задача о модельном описании состояний электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике. Потенциал примесного центра выбран в виде суперпозиции кулоновского поля и сферической ямы с плоским дном. Точным методом и вариационным методом Ритца для модели находится уровень энергии и волновая функция основного состояния в широком диапазоне параметров ямы. Указывается алгоритм нахождения энергий и волновых функций первых возбужденных состояний. Обосновывается преимущество использования вариационного метода по сравнению с точным решением.