Аннотация:Предложена схема создания предельно малых зазоров между пленочными электродами на ступеньке на подложке для формирования высокотемпературных одноэлектронных транзисторов без использования эффекта электромиграции.
Отработана технология изготовления элементов наноструктуры, а именно:
Напыление слоёв диэлектриков методом магнетронного напыления;
Напыление верхнего подводящего электрода путем использования электронной литографии и термического напыления материалов;
Формирование на краю верхнего электрода ступеньки контролируемой высоты на подложке с одновременным созданием подтрава под верхним электродом методом жидкостного травления;
Создание электродов снизу от ступеньки.
Изготовлены тестовые образцы электродов с нанозазором по предложенной схеме без использования электромиграции.