Аннотация:Исследованы гальваномагнитные и фотоэлектрические эффекты (4.2<T<300 K, B<0.04 T) в сплавах Pb1-xGexTe(0.04<x<0.08), легированных галлием и облученных быстрыми электронами (T=300 K, E=6 МэВ, Ф=2.4*1016 см-2), при контролируемой ИК подсветке и в условиях экранировки исследуемых кристаллов от фонового излучения. Показано, что изменение содержания германия в сплавах приводит к изменению ширины запрещенной зоны и положения уровня галлия относительно краев разрешённых зон, в то время как вариация содержания легирующей примеси и электронное облучение обеспечивают изменение концентрации свободных носителей заряда и положения уровня Ферми в сплавах. На основании полученных экспериментальных результатов построена модель перестройки энергетического спектра носителей заряда при изменении содержания германия в сплавах, а также предложена модель, описывающая кинетику фотопроводимости, и оценены параметры, характеризующие долговременные релаксационные процессы при ИК фотовозбуждении сплавов.