|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Влияние электронного облучения на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства сплавов на основе PbTeдипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Скипетров Е.П., Сидоров В.И.
- Автор: Пелехов Дмитрий Владимирович
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1992
- Аннотация: Исследовано влияние глубокого электронного облучения (T=300 K, E=6 МэВ, Ф<3*1017 см-2) на электрофизические и фотоэлектрические свойства монокристаллов PbTe, легированных галлием, и нелегированных сплавов Pb1-xSnxTe (x=0.2). В слабо легированных образцах p-типа обнаружены переход в диэлектрическое состояние и p-n-конверсия при облучении, а также аномалии, связанные с возникновением поверхностной проводимости p-типа. Во всех облученных образцах в области низких температур (T<70 K) обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, определены критические температуры появления фотопроводимости и характерные времена жизни неравновесных носителей заряда, а также характер их изменения при электронном облучении.
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович