|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Оптическое переключение в одномерных полупроводниковых фотоннокристаллических структурахдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Заботнов С.В.
- Автор: Афонина Светлана Михайловна
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2010
- Аннотация: Работа посвящена исследованию возможности полностью оптического переключения в фотоннокристаллических структурах на основе пористого кремния и арсенида галлия/арсенида алюминия при воздействии на данные объекты мощных лазерных импульсов. Основные результаты работы: 1. Спроектированы фотоннокристаллические структуры на основе пористого кремния для реализации в них полного оптического переключения: сдвига спектров отражения при изменении интенсивности накачки. 2. Показано, что в мощных лазерных полях в изготовленных образцах на основе пористого кремния происходит сдвиг фотонной запрещенной зоны, а также резонанса отражения в случае фотоннокристаллического микрорезонатора. 3. Методом накачка-зонд показано, что в микрорезонаторах на основе пористого кремния и GaAs/AlAs сдвиг резонанса отражения существенно зависит от времени задержки между лазерными импульсами накачки и зонда и обусловлен такими быстрыми конкурирующими явлениями в слоях указанных структур, как генерация свободных носителей заряда, оптические керровская и тепловая нелинейности.
- Добавил в систему: Заботнов Станислав Васильевич