|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Комбинационное рассеяние света и генерация второй гармоники в наноструктурах карбида кремниядипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Головань Л.А.
- Автор: Соколов А.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2014
- Аннотация: Дипломная работа студента А.А.Соколова посвящена изучению наноструктур карбида кремния. Этот материал обладает рядом уникальных свойств, включая широкую запрещенную зону, высокую теплопроводность, сравнительно большие величины квадратичной нелинейной восприимчивости. Данный материал весьма перспективен в области солнечной энергетики, производства светодиодов, создания квантовых приборов, а так же микроэлектронных и оптоэлектронных устройств, разработанных для применения в экстремальных условиях. В настоящей работе была поставлена цель получить новые фундаментальные знания об электронных и оптических свойствах ансамблей наноструктур карбида кремния, полученных методами прямого ионного осаждения и анодного травления. Среди выводов дипломной работы А.А. Соколова следует отметить следующие. 1. Проведено сравнение эффективности КРС и ГВГ в образцах наноструктурированного карбида кремния, полученных методом прямого ионного осаждения, которое показало, что метод ГВГ позволяет осуществлять диагностику формирования наноструктур карбида кремния при прямом ионном осаждении пленок карбида кремния. 2. Впервые для образцов 3C-SiC наблюдалась фотолюминесценция при возбуждении на длинах волны 633 нм и 1064 нм, для которых энергия кванта излучения меньше ширины запрещенной зоны 3С-SiC. Сравнительное изучение пористых образцов 3C-SiC показало, что интенсивность сигнала ФЛ от пористого слоя в десятки раз превосходит интенсивность сигнала ФЛ от кристаллического слоя. Данная ФЛ имеет дефектную природу. 3. Впервые проведены измерения сигнала ВГ в образцах пористого SiC. Эффективность ГВГ для пористого SiC на три порядка величины выше, чем поликристаллического SiC. 4. Методом измерения кросс-корреляционной функции было найдено время жизни фотона в пористом слое 3C-SiC, которое составило 2,1 пс. Столь заметное увеличение времени жизни фотонов в пористой среде является одной из основных причин роста эффективности КРС, ФЛ и ГВГ в образцах пористого SiC.
- Добавил в систему: Головань Леонид Анатольевич