Организация, в которой проходила защита:
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Год защиты:2015
Аннотация:Цель дипломной работы состояла в изучении полимерных диодных структур на основе полимерного полупроводника и анализа измеренных вольт-амперных характеристик с привлечением известных модельных представлений.
В дипломной работе впервые были подробно исследованы ВАХ нового полупроводника PCDTBT. При этом для корректной регистрации сигналов ВАХ проведена настройка измерительной программы, задающая момент времени измерения сигнала с учетом времени диэлектрической релаксации полимерного полупроводника. В.Д. Криницын выполнил анализ результатов измерений ВАХ в рамках известных моделей инжекционных токов в неупорядоченных полупроводниках и установил, что уравнение Шоттки, описывающее надбарьерный механизм инжекционного тока, полностью согласуется с экспериментальными данными.