Аннотация:В рамках дипломной работы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгенно-фазового анализа и люминесцентной спектроскопии исследованы процессы направленной раскристаллизации кок номинально-чистого, так и легированного хромом стекла Li2O-Ga2O3-SiO2 с составами близкими к Li2O:Ga2O3:SiO2=1:1:2. В результате работы установлено, что температура, обеспечивающая максимальную скорость нуклеации, лежит для данной системы в диапазоне 550оС -570оС и, по-видимому, слабо зависит от состава стекла в концентрационном диапазоне от Li2O:Ga2O3:SiO2=1:1:1,9 до 1:1:2,2. При этом скорость нуклеации резко падает при увеличении содержания SiO2 в составе стекла, и немного возрастает в образцах, легированных 0,2 вес.% хрома, по сравнению с номинально чистыми образцами. Скорость кристаллизации также существенно падает при увеличении содержания SiO2 в составе стекла. Показано, что температура, обеспечивающая максимальную скорость кристаллизации изученных стекол, лежит выше 915ºС. При этом для всех исследованных составов выдержка уже при температуре 800ºС в течение 1-часа обеспечивает скорости роста кристаллических зерен, достаточные для получения 100% раскристаллизации стекла., а выдержки при температуре 900ºС, в течение 1 часа, достаточно для полного и необратимого перехода метастабильной -фазы LiGaSiO4 в стабильную -эвкриптитоподобную фазу.