ИСТИНА

1. Обнаружено, что в спектральных зависимостях фотопроводимости для структур SnO2-QD и в спектральных зависимостях оптического поглощения нанокристаллов присутствует смещение особенностей спектров, отвечающих квантовым точкам. Указаны основные факторы, влияющие на величину сдвига и его знак: влияние матрицы на исходный энергетический спектр нанокристаллов и уменьшение их эффективного размера вследствие окисления поверхности. 2. Установлено, что при варьировании размера нанокристаллов CdSe максимальная фотопроводимость в структурах SnO2-QD достигается при внедрении в матрицу квантовых точек минимального размера. 3. Установлено, что максимальная фотопроводимость в структурах SnO2-QD при внедрении в матрицу гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS достигается при толщине оболочки CdS в 2 монослоя. Указаны основные факторы, влияющие на амплитуду сигнала: уменьшение вклада безызлучательной рекомбинации в нанокристаллах и дефектообразование как механизм снятия механических напряжений.