![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Разработанная методика служит физической основой для создания способов неразрушающего бесконтактного контроля слоистых материалов, проведен анализ диффузионных процессов в полупроводниках в условиях фотовозбуждения избыточных носителей при нелинейной рекомбинации и произвольном уровне оптической накачки.