![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследована излучательная рекомбинация в нелегированных и легированных различными примесями твердых растворах Ga1-xInxSb в широком дипазоне составов (x = 0 - 0.8; подробно при х < 0.2) и температур (65 - 320 К). Впервые исследованы спектры люминесценции GaSb и Ga1-xInxSb, легированных оловом, Sn, р- и n- типа проводимости. Исследованы фотоэлектрические и люминесцентные свойства р-n- и гетеропереходов на основе Ga1-xInxSb. Построена энергетическая диаграмма гетероперехода р- GaSb - n- Ga1-xInxSb. Поведение спектров люминесценции объясняется теорией примесной люминесценции в сильно легированных полупроводниках, развитой в работах В.В.Осипова.