![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследованы электрические свойства и фотолюминесценция антимонида галлия, GaSb, легированного мелкими донорными и акцепторными примесями Te и Zn. Изучена диффузия Zn в GaSb и созданы диффузионные p-n- переходы в GaSb. Исследована электролюминесценция в p-n- переходах в GaSb и показана существенная роль туннельной излучательной рекомбинации при малых токах. Определена роль примесей в спектрах излучения. Экспериментально изучены туннельные переходы в скрещенных сильных электрических и магнитных полях в p-n- переходах в GaSb, они описаны теорией этих эффектов.