ИСТИНА

1) Проведено всестороннее исследование зависимости времени жизни и интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) ионов эрбия в образцах nc-Si/SiO2:Er и Si/Si1-xGex:Er/Si от структурных параметров, интенсивности оптической накачки и температуры. 2) Обнаружено и объяснено влияние размеров кремниевых нанокристаллов на ширину спектра и время жизни ФЛ ионов эрбия в структурах nc-Si/SiO2:Er. 3) Показано, что феноменологическая модель передачи и релаксации энергии в системе взаимодействующих ионов эрбия и экситонов хорошо описывает экспериментальные данные по измерению ФЛ структур nc-Si/SiO2:Er. 4) Впервые на основании экспериментальных данных и теоретического анализа продемонстрирована возможность достижения инверсной населённости уровней ионов Er3+ в структурах nc-Si/SiO2:Er и Si/Si1-xGex:Er/Si.