ИСТИНА

1. На основании численных расчетов получены критерии применимости приближения слабой генерации в методе наведенного тока как для однородного полупроводника, так и для полупроводника с линейными дефектами (дислокациями). 2. Показано, что логарифмический характер спада максимума контраста на линейном дефекте в зависимости от тока пучка при высоком уровне возбуждения объясняется с помощью классической диффузионно-дрейфовой модели динамики неравновесных носителей с учетом рекомбинации по формуле Шокли-Рида, т.е. без привлечения представления о дислокации как о заряженном объекте. 3. На основе установленных закономерностей динамики заряда в органических диэлектриках исследовано искажение подлетных траекторий электронов пучка под действием электрического поля, создаваемого зарядом, накопленным в облученном образце. Продемонстрировано, что в ряде случаев (большая площадь облучаемой области, малая энергия электронного пучка) зарядка образца остается существенным фактором, способным значительно ухудшить качество электронной литографии. Выработаны практические рекомендации по выбору оптимальных режимов экспонирования фотошаблонов с целью уменьшения влияния эффекта зарядки мишени. 4. Количественно исследованы основные закономерности влияния электрических полей, возникающих в объеме фотошаблонов при электроннолучевом облучении, на транспорт протонов в негативных резистах с химическим усилением. 5. Выведено модифицированное уравнение Пуассона, являющееся аналогом классического для сред, обладающих термоэлектретными свойствами. На его основе построена модель динамики неравновесного заряда в диэлектриках, являющихся термоэлектретами. 6. Теоретически исследован вопрос о вкладе термоэлектретного эффекта в ход разрядки облученного электронным пучком диэлектрика. Изучены основные закономерности, связанные с возникновением этого эффекта. Указан способ его практического применения - для косвенного измерения температуры мишеней в процессах электронно-лучевого облучения.