ИСТИНА

В настоящей работе предложена двужидкостная модель проводящей плоскости купратных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), основанная на биполяронном механизме спаривания носителей заряда, которая позволила объяснить причины возникновения псевдощели и зарядового упорядочения в купратах и рассчитать фазовую диаграмму «уровень допирования - температура» систем с сильным электрон-фононным взаимодействием, аналогичную экспериментальной фазовой диаграмме купратов. Предложенный подход позволил с единых позиций объяснить природу трех фаз на фазовой диаграмме купратов: псевдощелевой, зарядово-упорядоченной и сверхпроводящей, которая до настоящего момента лишь предполагалась исследователями. Таким образом, полученные результаты вносят вклад в решение основных вопросов теории высокотемпературной сверхпроводимости. Цель работы - построить фазовую диаграмму и определить свойства нормального состояния систем с сильным электрон-фононным взаимодействием и высокой плотностью носителей заряда с дисперсией, характерной для купратных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Для реализации поставленной цели в работе решаются следующие задачи: • построить модель закона дисперсии, характерного для дырочно-допированных купратных ВТСП, вблизи поверхности Ферми и антинодального направления; • определить стационарные состояния делокализованных носителей заряда в потенциале, создаваемом автолокализованными носителями в системах с сильным электрон-фононным взаимодействием; • построить спектр фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением для носителей заряда, находящихся в дополнительном потенциале зарядового упорядочения и подчиняющихся характерному для купратов закону дисперсии, и сравнить его с экспериментальным спектром; • рассчитать величины неоднородности потенциала, создаваемого автолокализованными носителями и ионами-допантами, и определить влияние этой неоднородности на стационарные состояния делокализованных носителей; • сравнить результаты расчета с зафиксированной экспериментально методом сканирующей туннельной спектроскопии величиной неоднородности ширины псевдощели по кристаллу и ее зависимостью от уровня допирования; • получить спектр элементарных возбуждений жидкости биполяронов большого радиуса и определить температуру сверхпроводящего перехода, обусловленного конденсацией жидкости биполяронов большого радиуса с помощью стандартного метода теории Бозе-жидкости, как функции уровня допирования; • построить фазовую диаграмму дырочно-допированных систем с сильным электрон-фононным взаимодействием, определить на ней положения областей, в которых наблюдается псевдощель, зарядовое упорядочение и положение сверхпроводящей фазы, а также сравнить их с экспериментальными данными для купратов.