|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами.диссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Кудряшов Владимир Евгеньевич
- Дата защиты: 14 мая 2001 года в 16:30
- Шифр диссертационного совета: Д 501.001.70
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Физико-Технический Институт иени А.Ф.Иоффе РАН
- Организация, в которой выполнялась работа: Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова
- Оппоненты: Сибельдин Н.Н., Поляков А.Я.
-
Аннотация:
Создан спектральный измерительный комплекс для исследования светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в широком диапазоне токов и температур. Форма спектров электролюминесценции описывается моделью излучательной рекомбинации в хвостах плотности состояний. Впервые в области малых токов обнаружена дополнительная полоса, соответствующая туннельному излучению; положение ее максимума равно потенциалу на p-n- переходе. Интенсивность излучения и КПД увеличиваются при увеличении концентрации нескомпенсированных акцепторов в р-области.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович