Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Soviet Technical Physics Letters
журнал
Индексирование: нет
Период активности журнала: не указан
Добавил в систему:
Бушуев Владимир Алексеевич
Статьи, опубликованные в журнале
1992
X-ray diffractometry of structural changes in near-surface layers of ion-implanted silicon after pulsed laser annealing
Bushuev V.A.
,
Petrakov A.P.
в журнале
Soviet Technical Physics Letters
, том 18, № 4, с. 271-272