|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductorsжурнал
Индексирование:
Scopus (1 января 1999 г.-31 декабря 2010 г.)
Период активности журнала:
не указан
- Издательство: Kexue Chubaneshe/Science Press
- Местоположение издательства: China
- ISSN: 0253-4177 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
-
- 2023 01) β-Ga2O3 substrates for reducing structural defects after diamond sawing
- Butenko P.N., Boiko M.E., Almaev A.V., Sharkov M.D., Kitsay A.A., Krymov V.M., Zarichny A.A., Nikolaev V.I.
- в журнале Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, издательство Kexue Chubaneshe/Science Press (China), том 2, № 44 DOI