ИСТИНА

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов, в частности, к способам получения монокристаллов органо-неорганических комплексных галогенидов из растворов за счёт химического превращения растворителя. Технический результат заключается в обеспечении возможности снижения растворимости компонентов ОНКГ в растворе путём химической конверсии растворителя в продукт, не растворяющий или плохо растворяющий ОНКГ непосредственно в растворной композиции, из которой проводят кристаллизацию, что способствует получению монокристаллов заданного химического состава из раствора при постоянной температуре. Заявляемый технический результат достигается тем, что способ получения монокристаллов органо-неорганического комплексного галогенида (ОНКГ) состава AnBX(nz+k), где z = 1-2, k = 2-4, 0 <n ≤ 4, включает: А) приготовление растворной композиции, содержащей - по меньшей мере, один полярный растворитель (S), растворимость ОНКГ в котором равна (C, T1); - реагент (M), взятый в количестве, обеспечивающем мольное соотношение M/S от 0,05 до 15, предназначенный для химической реакции с растворителем S и обеспечивающей его химическую конверсию, продуктом которой является по меньшей мере одно газообразное или жидкофазное соединение, или их смесь (S1), растворимость ОНКГ в котором равна (C1, T1), где C1<C; - компоненты ОНКГ, в качестве которых используют - органический катион Az+ или неорганический катион, выбранный из катионов аммония (NH4+), цезия (Cs+) или рубидия (Rb+) или их смесь; - поливалентный катион металла Bk+; - галогенид или псевдогалогенид ион X-, при этом в растворной композиции концентрация [Az+] составляет от 0.1М до 7М, концентрация [Bk+] составляет от 0.1М до 3.5М, концентрация [X-] составляет от 0.2М до 10М, при этом растворная композиция имеет концентрацию ОНКГ равную или меньшую растворимости ОНКГ (С1, T1) в растворе с данным соотношением M/S; Б) выдерживание полученной растворной композиции при постоянной температуре T1 до достижения химической конверсии по меньшей мере 10% S в S1, обеспечивающей формирование монокристаллов ОНКГ. 11 з.п.ф-лы, 7 илл.