ИСТИНА

Способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала, характеризующийся тем, что включает следующие стадии: а) нанесение на подложку буферного слоя, содержащего последовательно расположенные биаксиально текстурированные слои оксида магния, бифторида стронция с толщиной, не превышающей 40 нм, и оксида церия или оксида иттрия; б) нанесение на буферный слой высокотемпературного сверхпроводящего слоя.