ИСТИНА

Устройство представляет собой мемристор, обладающий гистерезисом вольтамперной характеристики и переключением проводимости, отличающееся тем, что представляет собой осажденную на кремниевую подложку многослойную пленку из нитрида кремния с кремниевыми нанокристаллами, состоящую из чередующихся барьерных слоев из стехиометрического нитрида кремния Si3N4, и слоев с избытком кремния SiN0.8, в которых при отжиге образуются кремниевые нанокристаллы.