|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Разработка метода отделения тонких пластин широкозонных полупроводниковых материалов, в том числе сверхтвердых, с использованием метода ионной имплантацииНИР
- Руководитель НИР: Шемухин А.А.
- Ответственный исполнитель: Назаров А.В.
- Участники НИР: Балакшин Ю.В., Ермаков Ю.А., Черныш В.С.
- Подразделение: Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
- Срок исполнения: 22 октября 2015 г. - 15 декабря 2016 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 62-15
- Номер ЦИТИС: АААА-А16-116051310049-5
- Тип: Разработка
- Приоритетное направление научных исследований: Исследование наноструктур: физика, технологии, применение
-
Ключевые слова:
широкозонные полупроводниковые материалы, образование дефектов и вакансий, ионная имплантация
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович
Источник финансирования НИР
| Хоздоговор, Хоздоговор |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 9 октября 2015 г.-15 декабря 2015 г. | Разработка методики формирования заглубленного дефектного слоя в пластинах из синтетического монокристалла алмаза с использованием метода ионной имплантации |
| Результаты этапа: | ||
| 2 | 15 января 2016 г.-20 июня 2016 г. | Изготовление экспериментальных образцов облученных структур |
| Результаты этапа: | ||
| 3 | 11 июля 2016 г.-15 декабря 2016 г. | Корректировака документации по результатам испытаний |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".