|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование и разработка технологических операций имплантации для MOSFET транзистора на карбид кремниевой подложкеНИР
Research and development of technological implantation operations for MOSFET transistor on silicon carbide substrate
- Руководители НИР: Черныш В.С., Шемухин А.А.
- Ответственные исполнители: Балакшин Ю.В., Евсеев А.П., Ермаков Ю.А., Назаров А.В.
- Подразделение: Лаборатория ионно-пучковых нанотехнологий
- Срок исполнения: 25 июня 2018 г. - 1 декабря 2019 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 60-18/0000000007417РН30002
- Тип: Прикладная
- Приоритетное направление научных исследований: Развитие информационных технологий и телекоммуникаций
- ПН России: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
- Направление технологического прорыва России: Стратегические информационные технологии
- Критическая технология России: Базовые технологии силовой электротехники
-
Рубрики ГРНТИ:
- 29.19.21 Влияние облучения на свойства твердых тел
- 29.19.24 Электронная структура твердых тел
-
Ключевые слова:
mosfet транзистор, ионная имплантация, силовая электроника, карбид кремниевая подложка
power electronics, mosfet transistor, substrate of silicon carbide, ion implantation - Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович
Источник финансирования НИР
| Хоздоговор, Хоздоговор |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 25 июня 2018 г.-1 декабря 2018 г. | Исследование и разработка |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".