Особенности электронного и геометрического строения производных атомов элементов 14-ой группы в низковалентном состоянии, по данным оптической (КР, ИК, УФ) спектроскопии, рентгеноструктурного анализа и квантовой химии. Сравнение в ряду El=C, Si, Ge, Sn, PbНИР

Specificity of electronic and geometrical structure of the derivatives of low-valent 14 group elements as studied by optical spectroscopy (Raman, IR, UV), X-ray analysis and quantum chemistry. Comparison in the series El=C, Si, Ge, Sn, Pb

Соисполнители НИР

ИНЭОС РАН Координатор

Источник финансирования НИР

грант РФФИ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 января 2010 г.-31 декабря 2010 г. Особенности электронного и геометрического строения производных атомов элементов 14-ой группы в низковалентном состоянии, по данным оптической (КР, ИК, УФ) спектроскопии, рентгеноструктурного анализа и квантовой химии. Сравнение в ряду El=C, Si, Ge, Sn, Pb
Результаты этапа:
2 1 января 2011 г.-31 декабря 2011 г. Особенности электронного и геометрического строения производных атомов элементов 14-ой группы в низковалентном состоянии, по данным оптической (КР, ИК, УФ) спектроскопии, рентгеноструктурного анализа и квантовой химии. Сравнение в ряду El=C, Si, Ge, Sn, Pb
Результаты этапа:
3 1 января 2012 г.-31 декабря 2012 г. Особенности электронного и геометрического строения производных атомов элементов 14-ой группы в низковалентном состоянии, по данным оптической (КР, ИК, УФ) спектроскопии, рентгеноструктурного анализа и квантовой химии. Сравнение в ряду El=C, Si, Ge, Sn, Pb
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".