1 |
1 января 2017 г.-31 декабря 2017 г. |
Интерфейсные слои для перспективных кремниевых солнечных элементов с пленками прозрачных проводящих оксидов. |
Результаты этапа: Исследованы свойства (толщина, стехиометрия, показатель преломления) интерфейсных слоев (IL) из SiOx, сформированных на n-Si подложках в зависимости от: (i) условий формирования методами химического (HNO3: 25 ºC и 121 ºC, H2O: 100 ºC) и термического окисления (в парах H2O, 375–475 ºC); (ii) отжига SiOx/n-Si структур (в парах метанола, 375–475 ºC); (iii) режимов выращивания пленок In2O3:Sn (ITO) методом USP поверх пленки IL (толщина пленки ITO, концентрация H2O в пленкообразующем растворе). Получен двусторонний СЭ на основе гетероструктуры ITO/SiOx/(nn+)Cz-Si/IFO (In2O3:F) с эффективностью 16.4/14.6% при лицевом/тыльном освещении, что выше мирового уровня для СЭ на основе гетероперехода ITO/c-Si.
|
2 |
1 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. |
Интерфейсные слои для перспективных кремниевых солнечных элементов с пленками прозрачных проводящих оксидов. |
Результаты этапа: План работы выполнен. В 2018 году опубликовано 5 статей, из них 3 – в высокорейтинговом журнале Solar Energy (импакт фактор 4.831), 1 – в журнале AIP Conference Proceedings, 1 – в журнале Proceedings of SPIE, 2 статьи посланы в печать (в журнал Solar Energy). Сделано 2 доклада на международных конференциях: (i) 14th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-14) (16-18 апреля 2018, Puertollano, Spain), (ii) SPIE Photonics Europe 2018 (22-26 апреля 2018 Strasbourg, France). |
3 |
1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. |
Интерфейсные слои для перспективных кремниевых солнечных элементов с пленками прозрачных проводящих оксидов. |
Результаты этапа: Исследовано влияние условий формирования интерфейсных слоев (IL) SiOx, а также условий выращивания пленок TCO, на свойства гетероперехода TCO/IL/Si. Разработаны кремниевые солнечные элементы на основе гетероперехода TCO/Si c эффективностью выше мирового уровня для солнечных элементов с пленками ТСО: двусторонний на основе In2O3 (ITO/SiOx/n-Si: 16.6%/14.6%). |