ИСТИНА

Решение проблемы последовательного теоретического описания в рамках единого подхода когерентного электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих новые многозонные сверхпроводники, топологические сверхпроводники и топологические сверхпроводящие изоляторы.

В течении этапа 2013 г. нами были рассчитаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) контактов нормального металла с высокотемпературным железосодержащим сверхпроводником (N-Sp контакты) с учетом многоорбитальности и возможности осуществления в высокотемпературном железосодержащем сверхпроводнике (пниктиде, FeBs системе) различных симметрий параметра порядка (s++ и s+- симметрий). Была продемонстрирована возможность различать эти симметрии по виду ВАХ N-Sp контактов. Была отмечена необходимость использования в таких контактах нормального (N) металла с большой поверхностью Ферми. При проведении этих расчетов был использован и усовершенствован предложенный нами ранее микроскопический теоретический подход для исследования контактов с многоорбитальными сверхпроводниками. Это усовершенствование состоит во введении квазиклассичности, т.е. учета в расчетах малости величин модулей сверхпроводящего параметра порядка относительно величины энергии Ферми и параметров хоппинга между атомами. Такое усовершенствование принципиально увеличивает скорость численных расчетов и позволит в будущем исследовать теоретически более сложные структуры с пниктидами. Также в рамках предложенного нами микроскопического квазиклассического подхода нами были впервые рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона контактов сверхпроводящего пниктида с обычным синглетным s- типа сверхпроводником (S-I-Sp контакты) для различных случаев ориентации границы относительно кристаллографических осей пниктида и для различных толщин слоя изолятора. Было показано, что в случае Джозефсоновского транспорта в x-y плоскости пниктида для случая атомарно-резкой S-Sp границы в S-I-Sp контакте возможно осуществления “0”, “пи” и “фи” контактов, в то время как в случае толстого слоя изолятора I при транспорте в x-y плоскости пниктида возможно осуществление только “0” и “пи” джозефсоновских контактов при s+- симметрии параметра порядка в нем. При s++ симметрии в пниктиде возможно осуществления только “0” контакта в S-I-Sp контакте. При джозефсоновском транспорте в z направлении относительно кристаллографических осей пниктида для случая атомарно-резкой границы в S-I-Sp джозефсоновском контакте будет осуществляться “0” контакт, в то время как для случая толстого слоя изолятора I будет осуществляться “пи” контакт. Таким образом, нами было доказано микроскопически, что исследование джозефсоновского транспорта именно в z направлении относительно кристаллографических осей пниктида позволяет различить симметрии параметра порядка в нем. Рассчитанные нами температурные зависимости критического тока S-I-Sp контактов оказались достаточно близкими к обычной температурной зависимости Амбегаокара-Баратова S-I-S перехода.