Результаты этапа: В связи с высоким интересом к галогенкупратам(I) цезия CsCu2X3 перспективным направлением изучения представляется разработка методов синтеза пленочных структур на основе этих материалов. В рамках данной работы были первично изучены возможности формирования пленок галогенкупратов(I) цезия CsCu2Х3 методом вакуумного термического распыления, который является экспрессным, масштабируемым, не требующим дорогостоящих реактивов.
Показано, что иодостаннат(IV) Cs2SnI6 разлагается на простые иодиды при термическом распылении в вакууме. Ожидается, что фаза может быть сформирована в виде пленки двухстадийным или трехстадийным способом.
Исследована возможность синтеза наноструктур общего состава CsCu2Х3 методом горячего впрыска. Показано, что данный подход не позволяет синтезировать наночастицы и иные наноструктуры для соединения иодостанната(IV) цезия Cs2SnI6.
Изучен фазовый состав продуктов ампульного синтеза в тройных системах
CsBr-CuBr-BBr3, где B = Sb, In, Bi. Показано, что в условиях ампульного синтеза формируются фазы со структурой двойного перовскита только для висмута. При этом, наиболее интенсивные рефлексы фазы перекрываются с рефлексами возможной примеси - фазы Cs3Bi2Br9. |