| Результаты этапа: Установлено, что зависимость критической температуры SFF структур от угла разориентации векторов намагниченности носит немонотонный характер, при этом минимальной значение критической температуры достигается при неколлинеарной ориентации. При определённых параметрах структуры в некоторой области углов критическая температура обращается в ноль. Рассчитано дифференциальное сопротивление ферромагнитной плёнки FSF структуры в зависимости от угла разориентации векторов намагниченности. Рассчитана дифференциальная проводимость ферромагнитных слоев SFF при произвольной величине проводимости FF границы. Показано, что величина проводимости FF границы оказывает существенное влияние на механизм генерации триплетных компонент в структуре. Установлено, что обе вышеупомянутые структуры могут использоваться для детектирования дальнодействующих триплетных сверхпроводящих корреляций. Показано, что в SNF-NF-FNS джозефсоновских мостиках переменной толщины с планарной геометрией, в которых S электроды расположены на FN сэндвиче, критический ток IC может быть больше по сравнению с IC в SNFS переходах с торцевой геометрией. Установлено, что критический ток может менять знак не только как функция расстояния между сверхпроводящими электродами, но и как функция длины SNF границы. Установлено, что в переходах SNF-N-FNS типа, в которых длина когерентности действительна в области слабой связи, также возможно состояние с отрицательным критическим током. Рассчитана плотность состояний SIFS переходов, что позволило объяснить существование N-образной особенности на ВАХ перехода.? Показано, что в SIFS и SIFNS переходах со ступенчатой прозрачностью FS или NS границ могут образовываться 0-$\pi$ нанопереходы, имеющих характерный размер 0 и $\pi$ областей порядка длины когерентности. В структурах с массивами нанопереходов суммарный критический ток возрастает с увеличением магнитного поля до величины, зависящей от эффективного размера наноперехода, и испытывает множественные осцилляции.??Теоретически
разработан метод реализации phi-контакта путем создания контакта, состоящего из чередующихся 0- и $\pi$ -частей. Получено выражение для критического тока SIFS контакта при произвольных значениях длины свободного пробега электронов при малопрозрачной SF границе. Определены условия применимости приближений «чистого» и «грязного» пределов. Показано, что при достаточно большой толщине F-слоя пространственное распределение аномальной функции Грина с хорошей точностью аппроксимируется одной экспонентой с комплексной характерной длиной.
Разработан общий подход к решению уравнения Шредингера для двух различных типов кубитов на основе теории возмущений с использованием функций Матье в качестве нулевого приближения для волновых функций. Конкретизированы требования к свойствам pi- и phi-контактов в кубитных системах и механизмам управления и считывания состояний. Выполнен сравнительный анализ однородных SFS, SIFS и SIFIS джозефсоновских переходов в «чистом» и «грязном» пределах. Показано, что для реализации джозефсоновских контактов cо сравнительно большой второй гармоникой наиболее перспективным является контакт c достаточно чистой ферромагнитной прослойкой. Получены ток-фазовые зависимости для структур со слоями нормального и ферромагнитного металлов с однородной и неоднородной намагниченностью для различных углов разориентации векторов намагниченности ферромагнитых слоев. Определены параметры структуры, при которых амплитуда второй гармоники в ТФС имеет наибольшее значение. |
