|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Экспериментальное и теоретическое исследование механизмов образования дефектов при взаимодействии плазмы с новыми пористыми материалами с низкой диэлектрической константойНИР
- Руководитель НИР: Ковалев А.С.
- Участники НИР: Брагинский О.В., Васильева А.Н., Волошин Д.Г., Зырянов С.М., Клоповский К.С., Лопаев Д.В., Манкелевич Ю.А., Прошина О.В., Рахимова Т.В.
- Подразделение: Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
- Срок исполнения: 1 января 2009 г. - 31 декабря 2011 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 09-02-01374
- Тип: Фундаментальная
- Приоритетное направление научных исследований: Исследование наноструктур: физика, технологии, применение
- ПН России: Информационно-телекоммуникационные системы
- Направление технологического прорыва России: Стратегические информационные технологии
-
Рубрики ГРНТИ:
- 29.27.03 Общие свойства плазмы
- 29.27.07 Элементарные процессы в плазме
- 29.27.15 Излучение плазмы
- 29.27.43 Газовый разряд
- 29.27.47 Численные методы в физике плазмы
- 29.27.49 Диагностика плазмы
- 29.27.51 Применение плазмы
-
Ключевые слова:
материалы с низкой диэлектрической константой, плазма
-
Основные результаты:
В рамках проекта проведено исследование взаимодействия неравновесной плазмы ВЧ разрядов и ее послесвечения с новыми пористыми материалами с низкой диэлектрической константой (low-k material, LKM), которые начинают использоваться в качестве межслойного диэлектрика в современных интегральных схемах. Исследовался класс так называемых органосиликатных материалов (SiOHC), представляющих собой пористую SiO2 структуру с метильными СН3 группами внутри пор. Диаметр пор 1-2 нм, пористость 15-40 %, константа диэлектрической проницаемости 2.3-2.5. Условия в плазме соответствовали процессу травления резиста в low-k технологии (strip plasma), т.е. в кислород- и водород- содержащей плазме. В ходе исследований выявлен механизм деградации таких материалов в плазме, связанный с проникновением в поры атомов кислорода и водорода. Измерены константы взаимодействия атомов О и Н с поверхностью low-k материалов. Разработана Монте-Карло модель для взаимодействия О атомов с low-k материалами, которая включает проникновение в поры, рекомбинацию и реакции с метильными группами. Это позволило представить механизм разрушения low-k пленок атомами как волну реакции удаления метильных групп по глубине пленки.
- Добавил в систему: Ковалев Александр Сергеевич
Источник финансирования НИР
| грант РФФИ |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 1 января 2009 г.-31 декабря 2009 г. | Экспериментальное и теоретическое исследование механизмов образования дефектов при взаимодействии плазмы с новыми пористыми материалами с низкой диэлектрической константой |
| Результаты этапа: В данной работе исследовался эффект модификации поверхности low-k пленок при обработке их в Не плазме низкого давления. Исследовано также взаимодействие low-k пленок с атомами О и Н. Использовались три типа low-k материалов: с пористостью 24, 24, 33 % и радиусом пор 0.8, 0.8, 1 нм. Было изучено воздействие ионов Не+, ВУФ излучения и метастабильных атомов Не*, образующихся в ВЧ поверхностно-волновом разряде (81 МГц, 20 мТор), на поверхность low-k пленок. Кроме этого были измерены вероятности гибели атомов О и Н в на поверхности low-k образцов в дальнем послесвечения ВЧ разряда (13.56 МГц, 10 Тор) в потоке О2 и Н2 соответственно | ||
| 2 | 1 января 2010 г.-31 декабря 2010 г. | Экспериментальное и теоретическое исследование механизмов образования дефектов при взаимодействии плазмы с новыми пористыми материалами с низкой диэлектрической константой |
| Результаты этапа: В данной работе исследовался эффект модификации поверхности low-k пленок при обработке их в Не плазме низкого давления. Исследовано также взаимодействие low-k пленок с атомами О и Н. Использовались три типа low-k материалов: с пористостью 24, 24, 33 % и радиусом пор 0.8, 0.8, 1 нм. Было изучено воздействие ионов Не+, ВУФ излучения и метастабильных атомов Не*, образующихся в ВЧ поверхностно-волновом разряде (81 МГц, 20 мТор), на поверхность low-k пленок. Кроме этого были измерены вероятности гибели атомов О и Н в на поверхности low-k образцов в дальнем послесвечения ВЧ разряда (13.56 МГц, 10 Тор) в потоке О2 и Н2 соответственно | ||
| 3 | 1 января 2011 г.-31 декабря 2011 г. | Экспериментальное и теоретическое исследование механизмов образования дефектов при взаимодействии плазмы с новыми пористыми материалами с низкой диэлектрической константой |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".