Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастановастатья

Авторы: Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А.
Сборник: «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова
Год издания: 2015
Место издания: Новелла Москва
Первая страница: 238
Последняя страница: 242
Добавил в систему: Кульчицкий Николай Александрович