|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Characterization of Highly Doped Si Through the Excitation of THz Surface Plasmonsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2019 г.
- Авторы: Nazarov M.M., Shkurinov A.P., Garet F., Coutaz J.L.
- Журнал: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
- Том: 5
- Номер: 4
- Год издания: 2015
- Первая страница: 680
- Последняя страница: 686
- DOI: 10.1109/TTHZ.2015.2443562
- Аннотация: We excite surface plasmons (SPs) at the surface of highly doped Si using a prism coupler, and we study the propagation properties of these SPs in order to characterize the terahertz (THz) response of the doped semiconductor. Thanks to the long interaction length of the propagating SP with the substrate material, the method is more sensitive than classical THz time-domain spectroscopy in reflection or in transmission. Moreover, we propose a new technique based on measuring the SP signal, for which the delicate problem of accurately measuring the phase of the signal is solved. All of these different experiment techniques allow us to determine reliably the dielectric function of highly doped Si in the THz range. It appears that the experimentally determined values differ strongly from the ones calculated with a Drude model.
- Добавил в систему: Шкуринов Александр Павлович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 07153578.pdf | 836,8 КБ | 1 сентября 2015 [ashkurinov] |