Гетеропереходы p-ZnGe(PxAs1-x)2– p-ZnGeP2

Авторы: Бойко М.Е., Калевич Е.С., Конников С.Г., Масагутова Р.В., Рудь Ю.В., Скорюкин В.Е.
Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
Том: 6
Номер: 13
Год издания: 1980
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 769
Последняя страница: 775
DOI: ISSN: 0320-0116
Аннотация: Сообщается о получении гетеропереходов на основе ZnGeP2 и исследовании их фотоэлектрических свойств. До сих пор сообщалось только о свойствах гомопереходов на этом материале. Слои были в основном поликристаллическими, имели структуру халькопирита, а параметры решетки оказались промежуточными по отношению к соответствующим параметрам ZnGeP2 ZnGeAs2.
Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА