|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs при внешних напряженияхтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Кубашевский Е.П., Минина Н.Я.
- Сборник: Тезисы докладов. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) “ФОТОНИКА – 2015”. Новосибирск, 12 – 16 октября 2015 г
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: ИФП СО РАН Новосибирск
- Первая страница: 118
- Аннотация: В работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на излучение лазерных диодов анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий, а также данные экспериментальных исследований поляризации излучения структур с квантовой ямой из GaAs0.84P0.16 шириной 14 нм при одноосном сжатии до 5 кбар вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович