|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Механизм усиления тунелированния сквозь границу раздела «квантовый дот-полимер» с помощью органических прослоекстатья
- Авторы: Никифоров В.Н., Оксенгендлер Б.Л., Марасулов М.
- Журнал: Наука и технологии в промышленности
- Том: 3
- Номер: 4
- Год издания: 2014
- Первая страница: 50
- Последняя страница: 51
- Аннотация: В статье построена модель недавно экспериментально обнаруженного резкого увеличения сквозного фото- тока в солнечных элементах на основе композитов «квантовые доты — полимер». В основе модели лежат представления о резонансном туннелировании носителей заряда через локальной уровень органической про- слойки между квантовой точкой и полимерной матрицей. Ключевые слова: солнечные элементы, квантовая точка, полимерная матрица, резонансное туннелирование. The model of recently experimentally detected “sharp increase in the photocurrent” in solar cells based on “quantum dot— polymer” composites is presented. The model is based on the representation of resonant tunneling of charge carriers through the local level of the organic layer between the quantum dot and the polymer matrix. Keywords: solar cells, quantum dot, the polymer matrix, the resonance tunneling.
- Добавил в систему: Никифоров Владимир Николаевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | nikiforov.pdf | nikiforov.pdf | 1,3 МБ | 20 октября 2015 [Nikiforov] |