Аннотация:Процессы, происходящие на поверхности кристалла как пограничной области кристалл – внешняя среда представляют огромный интерес для кристаллохимии. Каким бы богатством граней не обладал кристалл, выросший под влиянием внешней среды, можно выделить грани и комбинации простых форм, которые незаметно проявляются при любых условиях роста. Поэтому особый интерес имеет та форма роста, которая определяется кристаллической структурой. В наcтоящем исследовании оценивается термодинамически равновесный габитус кристаллов эсколаита с использованием понятия – поверхностная энергия грани (Eпов.), которая является мерой термодинамической стабильности грани кристалла (Урусов, Еремин, 2012; Громалова и др., 2012), а также с применением оригинальной методики "комбинированного" подхода, разработанной авторами ранее (Громалова и др., 2011). Данная методика впервые учитывает информацию, как о геометрических особенностях кристаллической структуры, так и об атомной релаксации в поверхностном слое материала.