|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Широкополосная люминесценция гибридных наночастиц Si/SiOx, полученных из монооксида кремниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Рыбалтовский А.О., Заворотный Ю.С., Свиридов А.П., Фекличев Е.Д., Ищенко А.А., Баграташвили В.Н.
- Журнал: Российские нанотехнологии
- Том: 10
- Номер: 9-10
- Год издания: 2015
- Издательство: НИЦ «Курчатовский институт»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 106
- Последняя страница: 115
- Аннотация: Гибридные наночастицы нчSi/SiOx, обладающие яркой широкополосной фотолюминесценцией (ФЛ) синтезированы методом термического диспропорционирования монооксида кремния, и на их основе получены золи и полимерные композиты в виде микродисперсных частиц ПТФЭ и пленок ПБМА. Определены особенности поведения неоднородно уширенной полосы ФЛ и ее интенсивности у нчSi/SiOx в золях и композитах при лазерном возбуждении. Они вызваны достаточно широким распределением ядер наночастиц по размерам, квантоворазмерными сдвигами в поглощении ( монокристаллическим ядром кремния) и ФЛ (дефектов нчКДЦ в аморфной SiOx оболочке), а также эффектами насыщения ФЛ. Непрерывное лазерное воздействие (с длиной волны 405 нм) на золи и композиты нчSi/SiOx вызывает деградацию интенсивности (фотовыжигание) ФЛ. Кинетика выжигания ФЛ является индивидуальной для каждого типа образца, но всегда имеет существенно неэкспоненциальный характер, а скорость выжигания через 20 минут падает на два порядка. Обнаружен эффект пострадиационного темнового восстановления ФЛ после окончания процесса лазерного фотовыжигания. Кинетика восстановления является существенно неэкспоненциальной, но индивидуальной для каждого типа образца. Полное восстановление интенсивности ФЛ и формы исходной полосы для всех образцов происходит не менее, чем за 15 часов. Полнота восстановления свидетельствует об обратимости процессов фотовыжигания ФЛ во всех изученных системах на основе нчSi/SiOx. Рассмотрена модель, в рамках которой фотовыжигание ФЛ вызвано переносом электрона от фотовозбужденного нчКДЦ и захватом его подходящей ловушкой, а темновое восстановление ФЛ вызвано процессами туннельной рекомбинации электрона и ионизованного нчКДЦ+. Обсуждается возможность управления фоточувствительностью нчSi/SiOx за счет создания вокруг нее подходящей дополнительной оболочки стимулирующей или, наоборот, подавляющей фотоиндуцированное разделение зарядов.
- Добавил в систему: Рыбалтовский Алексей Ольгердович