|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешениемтезисы доклада
- Авторы: Божьев И.В., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Мяконьких А.В., Рудаков В.И.
- Сборник: Тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции
- Серия: Физика полупроводников и наностурктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург
- Первая страница: 108
- Аннотация: Последнее десятилетие внимание исследователей в микроэлектронике, биологии, химии и медицине приковано к наноразмерным или наноструктурированным объектам. В ряде случаев изучение наноразмерных систем требует проведения неразрушающих измерений профилей потенциалов поверхностей и отдельных объектов с высокими пространственным разрешением и чувствительностью. Авторами разрабатывается оригинальная высокочувствительная система на основе полупроводникового нанопровода, располагающегося в предельной близости к краю кремниевой подложки. Разработан метод, позволяющий на основе кремния на изоляторе (КНИ) изготавливать транзисторы с каналом-нанопроводом на краю кремниевой подложки. Проведены измерения транспортных и шумовых характеристик изготовленных транзисторов. Показана высокая полевая чувствительность изготовленных структур. Разработанный метод совмещения литографируемой структуры с углом подложки позволяет формировать наностурктуры на расстояниях менее 50 нм от края подложки. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ №14-07-00828 А.
- Добавил в систему: Божьев Иван Вячеславович