Место издания:НИЦ "Курчатовский институт" г. Москва
Первая страница:241
Последняя страница:241
Аннотация:В работе рассмотрена задача отражения гауссова пучка от одномерного фотонного кристалла с экспоненциальным законом изменения периода. С целью исследования максимального расстояния наилучшей фокусировки изучены зависимости первых производных фазы комплексного коэффициента отражения от параметров фотонного кристалла. Показано существование некоторого диапазона значения параметров, при которых вторая производная фазы комплексного коэффициента отражения имеет наибольшее значение. Продемонстрировано существование нескольких фотонных запрещённых зон с различными профилями фазы комплексного коэффициента отражения, соответствующих различным максимальными расстояниями наилучшей фокусировки. Изучена зависимость величины сдвига Гуса—Хенхен от параметров кристалла. Полученные численным моделированием значения величины сдвига, превышают наблюдаемые в эксперименте величины для периодических фотонных кристаллов в несколько раз.