|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe. XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, труды конференциитезисы доклада
- Авторы: Галеева А.В., Казаков А.С., Артамкин А.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
- Сборник: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения / Труды конференции (Пленарные и устные доклады)
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2018
- Место издания: АО"НПО Орион" Москва
- Первая страница: 60
- Аннотация: В работе представлены результаты исследований кинетики фотопроводимости под действием импульсного лазерного терагерцового излучения с длиной волны до 496 мкм при температуре 4.2 К в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe в области составов 0.13 < x < 0.175, соответствующих как прямому, так и инверсному спектру. Показано, что в области составов, соответствующих прямому спектру x > 0.16, фотопроводимость определяется разогревом носителей заряда и является отрицательной. В области инверсного спектра x < 0.16 фотопроводимость положительная и связана с генерацией неравновесных носителей заряда. Важно отметить, что фотопроводимость является беспороговой, и наблюдается при всех длинах волн лазера от 90 до 496 мкм. Даже в отсутствие оптимизации чувствительности на длине волны 496 мкм удается зарегистрировать излучение мощностью порядка единиц микроватт при длительности импульса около 100 нс. Результаты исследований фотопроводимости в магнитном поле позволяют предположить, что за высокую чувствительность к терагерцовому излучению отвечают топологические электронные состояния на гетеропереходе между активным слоем и барьером.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович