Аннотация:Установлено, что характер изменения темновой проводимости и фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H под действием освещения зависит от температуры. Показано, что это может быть обусловлено образованием ансамблей фотоиндуцированных быстрых и медленных метастабильных дефектов, имеющих различные энергии термического образования и релаксации. Быстрые метастабильные дефекты, являясь рекомбинационными центрами для электронов, могут быть метастабильными фотоиндуцированными нейтральными оборванными связями кремния. Медленные фотоиндуцированные метастабильные дефекты характеризуются большой энергией термического отжига и могут быть связаны с крупномасштабными структурными перестройками матрицы аморфного гидрированного кремния под действием освещения.