|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Tris (ethylene diamine) nickel acetate as a promising precursor for hole transport layer in planar structured perovskite solar cellsстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 октября 2018 г.
- Авторы: Saranin D.S., Mazov V., Luchnikov L.O., Lypenko D., Gostishev P.A., Muratov D., Podgorny D.A., Migunov D.M., Didenko S.I., Orlova M., Kuznetsov D., Tameev A.R., Carlo A.Di
- Журнал: Journal of Materials Chemistry С
- Том: 6
- Номер: 23
- Год издания: 2018
- Издательство: Royal Society of Chemistry
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 6179
- Последняя страница: 6186
- DOI: 10.1039/C8TC01169A
- Аннотация: Owing hysteresis free characteristics and good reproducibility, inverted p-i-n perovskite solar cells (PSC) are gaining large interest in the photovoltaic field. In this context, the need for stable materials calls for the development of robust transporting layers compatible with the fabrication processes of the solar cell. In this study, we introduce a new precursor, tris(ethylene diamine) nickel acetate, for low temperature (280–300 1C) deposition of NiO hole transporting layer. Full characterization of the deposited NiO film layer was performed through XRD, Raman and Auger spectroscopy. We found a direct correlation between device performance and NiO thickness with maximum efficiency exceeding 15% for the thin NiO (10 nm) layer.
- Добавил в систему: Тамеев Алексей Раисович